Запись на sdкарту

Использование внешней и внутренней EEPROM, а так-же SD card
Ответить
sillver
Сержант
Сообщения: 194
Зарегистрирован: 27 апр 2017, 12:04
Откуда: УКРАИНА
Имя: Вячеслав

Запись на sdкарту

Сообщение sillver »

Добрый вечер знатоки!!! Хочу сделать логер, но есть вопросик на 100 000 записей. если писать на sd с частотой 5 минут то и на 2 месяца не хватит перезаписывать!!!! есть предложение сохранять в ОЗУ а потом раз в сутки сбрасывать на sd. кто что думает по этому поводу??? и как это реализовать!!!
Аватара пользователя
Dev1
Майор
Сообщения: 1045
Зарегистрирован: 12 июл 2016, 18:04
Откуда: Гондурас
Поблагодарили: 3 раза

Запись на sdкарту

Сообщение Dev1 »

sillver писал(а):100 000 записей
А что на сд теперь ограниченная запись? Вот это поворот...
Win10-64 FLProg v8.2.3 Portable IDE 1.8.19, 2,x,x :shok:
sillver
Сержант
Сообщения: 194
Зарегистрирован: 27 апр 2017, 12:04
Откуда: УКРАИНА
Имя: Вячеслав

Запись на sdкарту

Сообщение sillver »

я че Америку открыл? sd меет свой ресурс.
Аватара пользователя
kulibinsvv
Лейтенант
Сообщения: 486
Зарегистрирован: 18 сен 2015, 10:04
Откуда: Омск
Благодарил (а): 3 раза
Поблагодарили: 5 раз

Запись на sdкарту

Сообщение kulibinsvv »

Цитата из описания флеш-устройств памяти фирмы  Kingston:
• Срок службы ячеек флеш-памяти: Ячейки энергонезависимой флеш-памяти имеют конечное число циклов программирования-стирания. Проще говоря, при каждой записи или стирании данных с устройства флеш-памяти количество циклов программирования-стирания снижается и постепенно доходит до точки, после которой дальнейшее использование флеш-памяти невозможно.
• На время создания данного документа для флеш-памяти с многоуровневыми ячейками (MLC) возможно до 3000 циклов записи на физический сектор, исходя из имеющегося процесса литографии (19нм и 20нм). Для флеш-памяти с одноуровневыми ячейками (SLC) возможно до 30000 циклов записи на физический сектор. Для флеш-памяти с трехуровневыми ячейками (TLC) возможно до 500 циклов записи на физический сектор. Литография кристаллов флеш-памяти играет ключевую роль в сроке службы ячейки, который уменьшается со снижением размера кристалла.
•  Технология  флеш-памяти:  Для  флеш-памяти  с  многоуровневыми  ячейками  (MLC)  используется  несколько уровней на ячейку, что позволяет хранить больше бит с помощью того же количества транзисторов. Флеш-технология MLC NAND использует четыре возможных состояния на ячейку. В случае одноуровневых ячеек (SLC)  каждая  ячейка  может  иметь  два  состояния.  Для  трехуровневых  ячеек  (TLC)  биты  могут  храниться  в восьми  возможных  состояниях.  Литография  кристаллов  флеш-памяти  играет  ключевую  роль  в  сроке  службы ячейки, который уменьшается со снижением размера кристалла.
• Коэффициент увеличения объема записи: Коэффициент увеличения объема записи (WAF) существует для всех устройств флеш-памяти. Коэффициент увеличения объема записи - это соотношение между объемом данных, записанных хостом, и действительным объемом данных, записанных на микросхемы флеш-памяти. Все флеш-устройства выполняют записи целыми блоками, поэтому для записи в блок, который уже может содержать  данные,  флеш-контроллер  должен  переместить  имеющиеся  данные  в  блок  (обычно  в  память) и  объединить  их  с  новыми  данными,  а  затем  записать  все  данные  обратно  во  флеш-память.  Например, хост может записать на флеш-устройство файл объемом 2МБ, однако для завершения операции записи на флеш-память будет записано 4МБ данных. В этом случае коэффициент увеличения объема записи равен 2. В некоторых случаях WAF может достигать значений 20-30.
Эти данные справедливы для всех флеш-устройств.
Мой змей, этот ползучий соблазн сомнения,всё шевелится, побуждая «искать концы»... (Станислав Ермаков)
sillver
Сержант
Сообщения: 194
Зарегистрирован: 27 апр 2017, 12:04
Откуда: УКРАИНА
Имя: Вячеслав

Запись на sdкарту

Сообщение sillver »

Именно я об этом и написал! Но основной вопрос так и не затронули!
Anydy

Запись на sdкарту

Сообщение Anydy »

Так а в чем вопрос? И так понятно же что чем реже писать во флеш-память тем дольше проживет!
Храните данные в ОЗУ хоть за месяц, а потом сливайте на флеш, но в случае проблем данные потеряете....
sillver
Сержант
Сообщения: 194
Зарегистрирован: 27 апр 2017, 12:04
Откуда: УКРАИНА
Имя: Вячеслав

Запись на sdкарту

Сообщение sillver »

В этом и вопрос. Я начинаю работать в ФЛ прошу помощи у спецов или ткните носом как это сделать. Здесь я вроде все описал  Сообщение # 1

Добавлено (11.10.2017, 23:14)
---------------------------------------------
я думал тут помогут, а тут поумничали и .....

Добавлено (11.10.2017, 23:15)
---------------------------------------------
спасибо хоть не матом!!!
Последний раз редактировалось sillver 10 окт 2017, 18:28, всего редактировалось 1 раз.
Аватара пользователя
Hijin
Лейтенант
Сообщения: 325
Зарегистрирован: 22 авг 2017, 11:08
Откуда: Винница
Имя: Юрий

Запись на sdкарту

Сообщение Hijin »

А у Вас что флешка килобайтная ???

Добавлено (12.10.2017, 01:39)
---------------------------------------------
А у Вас что флешка килобайтная ???
Слимпер
Майор
Сообщения: 1009
Зарегистрирован: 06 сен 2015, 16:56
Откуда: Новосибирск

Запись на sdкарту

Сообщение Слимпер »

Ресурс то есть, но иметься виду ресурс циклов для одной ячейки памяти, а если файл будет расти (при накоплении данных), то запись будет перемещаться по ячейкам памяти.
И вот когда вы будет стирать накопление данные, только тогда будет снова писаться в первые области.
Вон автомобильные регистраторы видео пишут, и нечего годами флешки работают.

Так что я думаю страх избыточен.

Но то, что данные надо скидывать раз в 1-10 минут это да, так лучше будет.
sillver
Сержант
Сообщения: 194
Зарегистрирован: 27 апр 2017, 12:04
Откуда: УКРАИНА
Имя: Вячеслав

Запись на sdкарту

Сообщение sillver »

спасибо!!! очень толковые советы!!! именно так и сделаю!!!
Слимпер
Майор
Сообщения: 1009
Зарегистрирован: 06 сен 2015, 16:56
Откуда: Новосибирск

Запись на sdкарту

Сообщение Слимпер »

Еще один момент писать надо мелкими файлами, т.е. в идеале каждый сброс данных на флешку это новый файл.
Ответить

Вернуться в «Устройства памяти»

Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и 3 гостя