Страница 1 из 2

По MOSFETу

Добавлено: 12.01.2021{, 22:42}
DanilaWERT
Помогите подобрать мосфет для ESP32 для ШИМ. Никак че то не соображу.. Нагрузка 12 В, 100 ВТ.Лучше с запасиком и конечно китайские :D
У кого опыт есть?

По MOSFETу

Добавлено: 12.01.2021{, 22:46}
nalnik
DanilaWERT писал(а):
12.01.2021{, 22:42}
Помогите подобрать мосфет для ESP32
https://www.google.com/search?rlz=1C1SQ ... ZgQ4dUDCA0

По MOSFETу

Добавлено: 12.01.2021{, 23:12}
DanilaWERT
av, матплат полно.Осталось только определить какой подойдет...Ну не понимаю я никак,как эти мосфеты подбирать..И читал и смотрел.IRF,IRFZ...
Много показателей..Одно понял n-p, p-n :D Боюсь ошибиться и потом долго ждать посылку.У меня рядом нет магазина.
С NANO использовал IRFZ44.С моей нагрузкой работал отлично,но теперь меняю контроллер на есп и возникли не понятки.

По MOSFETу

Добавлено: 13.01.2021{, 00:27}
RedSky
Сильно мощный нет смысла - ёмкость затвора большая, выигрыша в нагреве не получится. 44й самое то. А вот китайские не надо - подделок много.
Для esp однозначно logic level, но тут проблема в другом - малый выходной ток. Драйвер очень желателен.

По MOSFETу

Добавлено: 13.01.2021{, 00:33}
DanilaWERT
RedSky, IRLZ44NPBF.Вот такой пойдет?

Отправлено спустя 3 минуты 25 секунд:
av, IRFZ44 с NANO у МЕНЯ работал отлично.Китайский.С 80 ваттами справлялся без нагрева.Но там пороговое напряжение при котором транзистор начнет открываться 4 вольта. IRLZ44 пороговое напряжение 2в.

Отправлено спустя 11 минут 39 секунд:
Вот незнал нифига и все спокойно было...подсмотрел в нете..ага...ребята такой ставят.Надо ставить. :D Понимаю что такой подход не совсем верен,но..
Вот теперь еще один вопрос мучает.ШИМ 256 шагов.Напряжение на пине 0-2,7.Если взять IRLZ44,то у него пороговое напряжение минимальное 1в,максимальное 2в.Получается что 2в будут на пине на 70 шаге,а 1в на 160 шаге.Получается что мосфет будет начинать работать с 160 шага и сразу подавать на нагрузку не ноль вольт.Напряжение на нагрузку будет регулироваться мосфетом при напряжении на затворе от 1 до 2 вольт.Правильно?

По MOSFETу

Добавлено: 13.01.2021{, 00:59}
Serg_Grn
Как по мне, с такой мощностью нужно ставить либо драйвер, либо биполярный транзистор между мосфетом и есп. Ибо с таким большим током ёмкость затвора будет значительна, есп с её малым током выхода будет перегружена, такое решение не есть хорошо... Одно дело если б это был режим вкл-выкл, а ШИМ - это быстрый процесс, совсем другое дело.

По MOSFETу

Добавлено: 13.01.2021{, 01:19}
bsn
DanilaWERT писал(а):
13.01.2021{, 00:48}
Получается что 2в будут на пине на 70 шаге,а 1в на 160 шаге.Получается что мосфет будет начинать работать с 160 шага и сразу подавать на нагрузку не ноль вольт.Напряжение на нагрузку будет регулироваться мосфетом при напряжении на затворе от 1 до 2 вольт.Правильно?
Нет. Гуглите, что такое ШИМ (ШИРОТНО импульсная модуляция) и как она работает. Если совсем коротко - на выходных пинах контроллера, уже при первых шагах будет присутствовать очень короткий импульс с полной амплитудой питания контролера, который и откроет ваш мосфет на нужное время. При увеличении шагов, амплитуда импульса будет всё та же - почти полное напряжение питания контролера. А вот ширина импульса будет увеличиваться с увеличением шагов. Кстати, при ШИМ, не спешите переходить на контроллеры с 3-х вольтовым питанием - возможны проблемы с открыванием некоторых экземпляров мосфетов:
DanilaWERT писал(а):
13.01.2021{, 00:48}
Но там пороговое напряжение при котором транзистор начнет открываться 4 вольта.
А вот контроллеры с 5-ти вольтовым питанием откроют почти все мосфеты.

По MOSFETу

Добавлено: 13.01.2021{, 01:30}
DanilaWERT
bsn,
bsn писал(а):
13.01.2021{, 01:19}
Нет. Гуглите, что такое ШИМ (ШИРОТНО импульсная модуляция) и как она работает.
Я понял.Сорри,туплю.Короче допустим светодиод очень часто моргает и мне кажется что он светится не полностью.
bsn писал(а):
13.01.2021{, 01:19}
А вот контроллеры с 5-ти вольтовым питанием откроют почти все мосфеты.
IRLZ44 открывается при 2в.Выход с ЕСП 2,7 у меня.Значит подойдет :smile9:

Отправлено спустя 2 минуты 29 секунд:
Serg_Grn,
Serg_Grn писал(а):
13.01.2021{, 00:59}
Как по мне, с такой мощностью нужно ставить либо драйвер, либо биполярный транзистор между мосфетом и есп. Ибо с таким большим током ёмкость затвора будет значительна, есп с её малым током выхода будет перегружена, такое решение не есть хорошо... Одно дело если б это был режим вкл-выкл, а ШИМ - это быстрый процесс, совсем другое дело.
все тоже самое работало от нано без биполярника.И здесь отработает. :yes:

По MOSFETу

Добавлено: 13.01.2021{, 04:13}
Di123
DanilaWERT, заказываю сотнями обычно разновидность но даже в этом случае бывает что это всё брак
IRFZ44 с ними мне повезло по даташиту открытие 2-4в и мои начинали от 2,1-2,3в поэтому есп для них как родная из минусов большое сопротивление но даже с таким держат 4а без радиатора

потом брал irlz44 это логик транзистор 1-2в но на деле 3,2-3,6в это значит что они даже при 4в непригодны и имеют внятное открытие только при 4,5в примерно тоесть для нано работают идеально сопротивление чуть пониже

потом брал irl2505 тоже чистый брак вместо 1-2в также предпосылки к открытию начинаются от 3,1-3,6в хотя изредка попадались из всей кучи 2,4в и 2,8в но для нано идеально работают и сопротивление у них пониже

брал irl3034 учитывая их характеристики грубейший брак как по напряжению так и особенно по сопротивлению !!! но для нано прекрасно работают но сопротивление это забей на всё

брал irl3803 эти мне повезло они все соответствуют есп работает прекрасно с ними но проблема в том что сопротивление в этом случае такое же как и у IRFZ44 только стоят намного дороже
но стоит их запитать от нано то преимущества в токе без радиатора намного выше ибо сопротивление резко падает
и особенно если открывать их от 12в будет 0,004 ом в них и 8а без радиатора держат прекрасно

так что проблема есп не только в напряжения открытия но и в сопротивлении транзистора при этом напряжении
тут только если открывать их повышенным напряжением или искать транзистор с мелким сопротивлением и маленьким напряжением

по поводу материнок это глупости ну покрайней мере мне ничего хорошего не попадалось допустим взять тот же APM2030N да он начинает открывать аж но при 0,95в !!! да для есп это выше крыше и идеально но при 3в он будет иметь огромное сопротивление в раёне 0,05 ом

По MOSFETу

Добавлено: 13.01.2021{, 06:27}
Di123
av, пробовал но это по большей части костыли взять мостовую сжему из двух биполярников
можно добавить им на вход ещё один но это тоже такое себе
самое лучшее решение это добавить составной на вход моста но этот огород строить да ещё отлаживать ....
самое лучшее решение это спецеализированный драйвер управления мосфетом но он стоит что мне проще взять более дорогой мосфет

но как говорят открывать мосфет ардуиной напрямую тоже не самое лучшее решение всё таки нужны особые фронты управления затвором

По MOSFETу

Добавлено: 13.01.2021{, 09:53}
ingener
Простая рабочая схемка. Один момент - сигнал инвертируется.
Возможно, с транзистором pnp (BC327) будет так же работать без инверсии, не пробовал.

По MOSFETу

Добавлено: 13.01.2021{, 13:29}
Serg_Grn
DanilaWERT писал(а):
13.01.2021{, 01:32}
все тоже самое работало от нано без биполярника.И здесь отработает.
Вероятно да, работать будет, как-то :)
Просто мне нравится делать как правильно, чтоб компоненты не работали в крайних (худших) диапазонах рабочих параметров. Но это каждый решает себе сам :)
Вот выше приведена простейшая схемка с усилителем в виде npn транзюка - просто и надёжно. Единственное что я бы проверил в такой схеме - это успеет ли затвор полевика заряжаться через 1к в минимальной скважности ШИМ (когда импульсы минимальны по длительности).

По MOSFETу

Добавлено: 13.01.2021{, 13:39}
ingener
Serg_Grn писал(а):
13.01.2021{, 13:29}
я бы проверил в такой схеме - это успеет ли затвор полевика заряжаться через 1к в минимальной скважности ШИМ (когда импульсы минимальны по длительности).
Номинал резистора можно и уменьшить, но даже с 1кОм для затвора емкостью 2нФ расчетная постоянная времени зарядки всего около 2мкС.
Конечно, нужно еще не забыть про затворный резистор мосфета (на схеме не показан) - пару десятков Ом.

По MOSFETу

Добавлено: 13.01.2021{, 13:49}
Serg_Grn
ingener писал(а):
13.01.2021{, 13:39}
даже с 1кОм для затвора емкостью 2нФ расчетная постоянная времени зарядки всего около 2мкС
Согласен, для частоты ШИМ порядка 2-3 кГц вполне приемлемо.

По MOSFETу

Добавлено: 13.01.2021{, 14:10}
Sancho
Serg_Grn писал(а):
13.01.2021{, 13:29}
Вот выше приведена простейшая схемка с усилителем в виде npn транзюка - просто и надёжно. Единственное что я бы проверил в такой схеме - это успеет ли затвор полевика заряжаться через 1к в минимальной скважности ШИМ (когда импульсы минимальны по длительности).
Добавить к этой схеме двухтактный эмитерный повторитель и резак в затвор.

По MOSFETу

Добавлено: 13.01.2021{, 14:36}
ingener
Sancho, у комплиментарной пары есть один минус - она требует по входу сигнал высокого напряжения. По крайней мере, у меня так получалось на практике. От 3-5 В она и выдаст на выходе мало. Вроде, даже в симуляторе так.

По MOSFETу

Добавлено: 13.01.2021{, 14:41}
Sancho
ingener писал(а):
13.01.2021{, 14:36}
Sancho, у комплиментарной пары есть один минус - она требует по входу сигнал высокого напряжения. По крайней мере, у меня так получалось на практике. От 3-5 В она и выдаст на выходе мало. Вроде, даже в симуляторе так.
Sancho писал(а):
13.01.2021{, 14:10}
Добавить к этой схеме ...
Да и драйверов готовых хватает, недорогих, до 50 руб.

По MOSFETу

Добавлено: 13.01.2021{, 15:37}
bsn
тр.png
тр.png (12.05 КБ) 1163 просмотра
Когда не было под рукой подходящего драйвера я применял самодельный, с очень высокими характеристиками. Его можно собрать за несколько минут. Задействована схемотехника из приведённых выше схем. На вход можно подавать сигналы с пинов любых контроллеров (3-5 вольт). На выходе получаем сигналы с почти полным размахом напряжения питания драйвера (примерно на 1 вольт меньше). Скорость переключения на выходе самодельного драйвера очень высока и обеспечит быстрое переключение любых мосфетов.
Транзисторы драйвера - любые маломощные аналогичные КТ315, КТ361. Резистор 100 ом необходим для ограничения возможных сквозных токов.
Недостатки - самодельщина которую нужно делать, лишние габариты и необходимость инвертировать сигналы выходных пинов применяемых контроллеров.

По MOSFETу

Добавлено: 13.01.2021{, 22:12}
Serg_Grn
Serg_Grn писал(а):
13.01.2021{, 13:49}
Добавить к этой схеме двухтактный эмитерный повторитель и резак в затвор.
Нет предела совершенству :)

По MOSFETу

Добавлено: 13.01.2021{, 23:30}
DanilaWERT
Di123, спасибо за советы.Короче я так понял надо кучу брать разных и методом тыка... Блин,как все сложно.

Отправлено спустя 5 минут 55 секунд:
Мужики,всем спасибо,но чем дальше в лес тем больше...Я с мосфетами не могу разобраться,а вы мне еще и с драйверами советуете заморочиться... :D Я тогда вообще на долго в этой теме пропаду. 15 вольт у меня нет.
:smile171: